一种单粒芯片植球工艺的制作方法

  1、伴随着电子工业的快速地发展，电子科技类产品的集成能力在不断的提高，功能日益强大而体积也慢慢变得小型化，芯片植球是电子科技类产品工艺流程中重要的一环，芯片凸点植球主要是为了方便芯片的焊接而往bga的芯片焊盘上加上焊料，成熟的工艺流程大致为：将整片晶圆片放置到工作台后，先将粘接剂印刷，再在上面加上一定大小的焊球，粘接剂的最大的作用是将焊球粘住，便于焊球的焊接。

  2、传统的凸点植球工艺均采用整片圆片进行植球，植球后再将晶圆切割，切割道的宽度会影响植球效果，切割时会破坏植球，为减少植球返工几率，也有将晶圆划切之后再植球，工艺流程大致为：将晶圆按切割道先切割为单粒芯片后，将芯片对应放置在植球工装治具的凹槽中，然后印刷焊料和植入焊球，这种方法中的植球工装治具应该要依据不同的芯片尺寸和要求做定制，利用率低，开发周期长，且成本高，故怎么来实现低成本的、针对已划切单粒芯片的凸点植球，成为亟待解决的工艺问题。

  5、晶粒排列步骤：提供一表面贴双面膜的基板，将晶粒转贴附后排列在双面膜对应位置，晶粒间距为产品最终间距；

  7、圆片植球步骤：剥离基板和双面膜并形成圆片封装体，晶粒有源面暴露进行植球。

  8、进一步，所述芯片粘附步骤中还包括：s1将整片晶圆片贴蓝膜；s2将晶圆片划切，而不损伤蓝膜；s3通过测试的芯片继续粘附在蓝膜上。

  9、进一步，所述晶粒排列步骤中，所述晶粒通过倒装机转帖到基板的双面膜上，所述晶粒的有源面朝向双面膜。

  10、进一步，所述包封研磨步骤中，包封的厚度为晶粒厚度加70-90μm，且采用环氧树脂塑封料包封，所述包封面研磨厚度为10-30μm。

  11、进一步，所述圆片植球步骤中，通过解胶的方式剥离基板和双面膜，之后通过激光烧边去除多余包封料的方式形成圆片封装体。

  12、进一步，所述圆片植球步骤中，该圆片封装体的尺寸与晶圆整片尺寸相对应，以便于使用晶圆整片植球设备。

  13、进一步，该工艺还包括产品成型步骤：将植球后的圆片封装体进行布线，实现芯片电性连接之后再切割，形成单个芯片产品。

  14、本申请：将多个单粒芯片对应位置放置封装并烧边为圆片封装体后植球，圆片封装体尺寸与晶圆片尺寸相对应，便于使用现有的晶圆片植球设备，工艺简单有效，既不需要额外购入设备，也解决了单粒芯片无法吸附、固定、植球的问题。

  2.根据权利要求1所述的单粒芯片植球工艺，其特征是，所述芯片粘附步骤中还包括：s1将整片晶圆片贴蓝膜；s2将晶圆片划切，而不损伤蓝膜；s3通过测试的芯片继续粘附在蓝膜上。

  3.根据权利要求1所述的单粒芯片植球工艺，其特征是，所述晶粒排列步骤中，所述晶粒通过倒装机转帖到基板的双面膜上，所述晶粒的有源面朝向双面膜。

  4.根据权利要求3所述的单粒芯片植球工艺，其特征是，所述包封研磨步骤中，包封的厚度为晶粒厚度加70-90μm，且采用环氧树脂塑封料包封，所述包封面研磨厚度为10-30μm。

  5.根据权利要求4所述的单粒芯片植球工艺，其特征是，所述圆片植球步骤中，通过解胶的方式剥离基板和双面膜，之后通过激光烧边去除多余包封料的方式形成圆片封装体。

  6.根据权利要求5所述的单粒芯片植球工艺，其特征是，所述圆片植球步骤中，该圆片封装体的尺寸与晶圆整片尺寸相对应，以便于使用晶圆整片植球设备。

  7.根据权利要求6所述的单粒芯片植球工艺，其特征是，该工艺还包括产品成型步骤：将植球后的圆片封装体进行布线，实现芯片电性连接之后再切割，形成单个芯片产品。

  本发明申请公开了一种单粒芯片植球工艺，包括：晶粒粘附步骤：将晶粒粘附在蓝膜上；晶粒排列步骤：提供一表面贴双面膜的基板，将晶粒通过倒装机转贴附后排列在双面膜对应位置，晶粒的有源面朝向双面膜，晶粒间距为产品最终间距；包封研磨步骤：将排列后的晶粒包封，并在包封面研磨；圆片植球步骤：剥离基板和双面膜并形成圆片封装体，晶粒有源面暴露进行植球，产品成型步骤：将植球后的圆片封装体进行布线，实现芯片电性连接之后再切割，形成单个芯片产品，本申请将多个单粒芯片对应位置放置封装并烧边为圆片封装体后植球，工艺简单有效，既不需要额外购入设备，也解决了单粒芯片无法吸附、固定、植球的问题。

  工程电磁场与磁技术，无线.气动光学成像用于精确制导 2.人工智能方法用于数据处理、预测 3.故障诊断和健康管理