基板的植球工艺流程

  (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)创造专利请求(10)请求发布号 (43)请求发布日 (21)请求号 1.2(22)请求日 2021.12.01(71)请求人 紫光宏茂微电子（上海）有限公司地址 201799 上海市青浦区工业园区崧泽大路9688号(72)创造人 王天石王健伟赵亚玲董永俊(74)专利署理组织 上海得民颂知识产权署理有限公司 31379署理人 陈开山(51)Int.Cl.H01L 21/48 (2006.01) (54)创造称号基板的植球工艺流程(57)摘要本创造触及芯片封装技术领域，公开了一种基板的植球工艺流程。本创造的基板的植球工艺流程，包含以下过程：S1供给基板，所述基板的植球点包覆...

  (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)创造专利请求(10)请求发布号 (43)请求发布日 (21)请求号 1.2(22)请求日 2021.12.01(71)请求人 紫光宏茂微电子（上海）有限公司地址 201799 上海市青浦区工业园区崧泽大路9688号(72)创造人 王天石王健伟赵亚玲董永俊(74)专利署理组织 上海得民颂知识产权署理有限公司 31379署理人 陈开山(51)Int.Cl.H01L 21/48 (2006.01) (54)创造称号基板的植球工艺流程(57)摘要本创造触及芯片封装技术领域，公开了一种基板的植球工艺流程。本创造的基板的植球工艺流程，包含以下过程：S1供给基板，所述基板的植球点包覆有有机保护膜；S2水洗基板；S3经过电浆设备去除基板的有机保护膜；S4在基板的植球点植球。本创造的基板的植球工艺流程，基板植球前，先对基板水洗，然后经过电浆设备去除基板植球点的有机保护膜，再在基板的植球点植球。本创造的基板的植球工艺流程，基板放置在电浆设备的真空腔体内，经过射频电源在必定的压力下发生高能量的无序的等离子体，经过等离子体炮击基板的外表，完成基板上有机保护膜的去除，设备成本低，且不会对基板形成污染、腐蚀，基板的植球作用更好。权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 114220742 A2022.03.22CN 114220742 A